高頻寬 記憶 體
高頻寬記憶體（英語：High Bandwidth Memory，縮寫HBM），是三星電子、超威半导体和SK海力士發起的一種基於3D堆疊技術的高效能DRAM，適用於高記憶體頻寬需求的應用場合，与高性能圖形處理器、網路交換及轉發裝置（如路由器、交換器）、高性能数据中心的AI特殊应用集成电路结合使用，在 CPU 中用作包内高速缓存，在即将推出的 CPU 和 FPGA 中用作包内 RAM，还用于某些超级计算机（如 NEC SX-Aurora TSUBASA 和富士通 A64FX）。首款HBM内存芯片由SK海力士于2013年生产，首款使用高頻寬記憶體的裝置是AMD Radeon Fury系列顯示核心。
2013年10月，高頻寬記憶體正式被JEDEC采纳为业界标准。第二代高頻寬記憶體（HBM2）于2016年1月被JEDEC采纳。NVIDIA在該年發表的新款旗艦型Tesla運算加速卡 —— Tesla P100、AMD的Radeon RX Vega系列、Intel的Knight Landing也採用了第二代高頻寬記憶體。
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